Electrical properties of MOS structures on nitrogen-doped Czochralski-grown silicon: A positron annihilation study: Fid-Bau Portal

Electrical properties of MOS structures on nitrogen-doped Czochralski-grown silicon: A positron annihilation study

Slugen, V. / Harmatha, L. / Tapajna, M. / Ballo, P. / Pisecny, P. / Sik, J. / Kogel, G. / Krsjak, V.

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Titel:

Electrical properties of MOS structures on nitrogen-doped Czochralski-grown silicon: A positron annihilation study

Beteiligte:

Slugen, V. (Autor:in) / Harmatha, L. (Autor:in) / Tapajna, M. (Autor:in) / Ballo, P. (Autor:in) / Pisecny, P. (Autor:in) / Sik, J. (Autor:in) / Kogel, G. (Autor:in) / Krsjak, V. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 3201-3208

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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