Gate leakage tolerant circuits in deep sub-100 nm CMOS technologies: Fid-Bau Portal

Gate leakage tolerant circuits in deep sub-100 nm CMOS technologies

Yang, G. / Wang, Z. / Kang, S.-M.

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Titel:

Gate leakage tolerant circuits in deep sub-100 nm CMOS technologies

Beteiligte:

Yang, G. (Autor:in) / Wang, Z. (Autor:in) / Kang, S.-M. (Autor:in)

Erschienen in:

SMART MATERIALS AND STRUCTURES ; 15 ; S21-S28

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

S21-S28

ISSN:

0964-1726

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 530

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