Improvement of the reverse leakage behavior of Ag-based ohmic contacts for GaN-based light-emitting diodes using MgZnO interlayer: Fid-Bau Portal

Improvement of the reverse leakage behavior of Ag-based ohmic contacts for GaN-based light-emitting diodes using MgZnO interlayer

Hong, H. G. / Song, J. O. / Lee, T. / Ferguson, I. T. / Kwak, J. S. / Seong, T. Y.

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Hong, H. G. / Song, J. O. / Lee, T. / Ferguson, I. T. / Kwak, J. S. / Seong, T. Y.

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Titel:

Improvement of the reverse leakage behavior of Ag-based ohmic contacts for GaN-based light-emitting diodes using MgZnO interlayer

Beteiligte:

Hong, H. G. (Autor:in) / Song, J. O. (Autor:in) / Lee, T. (Autor:in) / Ferguson, I. T. (Autor:in) / Kwak, J. S. (Autor:in) / Seong, T. Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 129 ; 176-179

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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