Dx-like defects in AlGaN/GaN structures by means of noise spectroscopy: Fid-Bau Portal

Dx-like defects in AlGaN/GaN structures by means of noise spectroscopy

Seghier, D. / Gislason, H. P.

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Titel:

Dx-like defects in AlGaN/GaN structures by means of noise spectroscopy

Beteiligte:

Seghier, D. (Autor:in) / Gislason, H. P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 41-44

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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