Recombination activity of nickel in Czochralski silicon during rapid thermal process: Fid-Bau Portal

Recombination activity of nickel in Czochralski silicon during rapid thermal process

Wang, W. / Xi, Z. / Yang, D. / Que, D.

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Titel:

Recombination activity of nickel in Czochralski silicon during rapid thermal process

Beteiligte:

Wang, W. (Autor:in) / Xi, Z. (Autor:in) / Yang, D. (Autor:in) / Que, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 296-299

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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