SIMS depth profiling of boron ultra shallow junctions using oblique O2+ beams down to 150eV: Fid-Bau Portal

SIMS depth profiling of boron ultra shallow junctions using oblique O2+ beams down to 150eV

Juhel, M. / Laugier, F. / Delille, D. / Wyon, C. / Kwakman, L. F. / Hopstaken, M.

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Titel:

SIMS depth profiling of boron ultra shallow junctions using oblique O2+ beams down to 150eV

Beteiligte:

Juhel, M. (Autor:in) / Laugier, F. (Autor:in) / Delille, D. (Autor:in) / Wyon, C. (Autor:in) / Kwakman, L. F. (Autor:in) / Hopstaken, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 252 ; 7211-7213

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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