Ultrathin InAs and modulated InGaAs layers in GaAs grown by MOVPE studied by photomodulated reflectance spectroscopy: Fid-Bau Portal

Ultrathin InAs and modulated InGaAs layers in GaAs grown by MOVPE studied by photomodulated reflectance spectroscopy

Hazdra, P. / Voves, J. / Hulicius, E. / Pangrac, J. / Sourek, Z.

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Titel:

Ultrathin InAs and modulated InGaAs layers in GaAs grown by MOVPE studied by photomodulated reflectance spectroscopy

Beteiligte:

Hazdra, P. (Autor:in) / Voves, J. (Autor:in) / Hulicius, E. (Autor:in) / Pangrac, J. (Autor:in) / Sourek, Z. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 85-89

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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