Atomistic modeling of dislocation activity in nanoindented GaAs: Fid-Bau Portal

Atomistic modeling of dislocation activity in nanoindented GaAs

Jian, S. R. / Fang, T. H. / Chuu, D. S. / Ji, L. W.

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Titel:

Atomistic modeling of dislocation activity in nanoindented GaAs

Beteiligte:

Jian, S. R. (Autor:in) / Fang, T. H. (Autor:in) / Chuu, D. S. (Autor:in) / Ji, L. W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 833-840

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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