High Dose High Temperature Ion Implantation of Ge into 4H-SiC: Fid-Bau Portal

High Dose High Temperature Ion Implantation of Ge into 4H-SiC

Kups, T. / Weih, P. / Voelskow, M. / Skorupa, W. / Pezoldt, J.

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Titel:

High Dose High Temperature Ion Implantation of Ge into 4H-SiC

Beteiligte:

Kups, T. (Autor:in) / Weih, P. (Autor:in) / Voelskow, M. (Autor:in) / Skorupa, W. (Autor:in) / Pezoldt, J. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 851-854

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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