Gamma Irradiation Effects on 4H-SiC MOS Capacitors and MOSFETs: Fid-Bau Portal

Gamma Irradiation Effects on 4H-SiC MOS Capacitors and MOSFETs

Ahyi, A. C. / Wang, S. R. / Williams, J. R.

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Titel:

Gamma Irradiation Effects on 4H-SiC MOS Capacitors and MOSFETs

Beteiligte:

Ahyi, A. C. (Autor:in) / Wang, S. R. (Autor:in) / Williams, J. R. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1063-1066

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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