Fast Switching (41 MHz), 2.5 mOmegaΩcm^2, High Current 4H-SiC VJFETs for High Power and High Temperature Applications: Fid-Bau Portal

Fast Switching (41 MHz), 2.5 mOmegaΩcm^2, High Current 4H-SiC VJFETs for High Power and High Temperature Applications

Cheng, L. / Casady, J. R. B. / Mazzola, M. S. / Bondarenko, V. / Kelley, R. L. / Sankin, I. / Merrett, J. N. / Casady, J. B.

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Cheng, L. / Casady, J. R. B. / Mazzola, M. S. / Bondarenko, V. / Kelley, R. L. / Sankin, I. / Merrett, J. N. / Casady, J. B.

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Titel:

Fast Switching (41 MHz), 2.5 mOmegaΩcm^2, High Current 4H-SiC VJFETs for High Power and High Temperature Applications

Beteiligte:

Cheng, L. (Autor:in) / Casady, J. R. B. (Autor:in) / Mazzola, M. S. (Autor:in) / Bondarenko, V. (Autor:in) / Kelley, R. L. (Autor:in) / Sankin, I. (Autor:in) / Merrett, J. N. (Autor:in) / Casady, J. B. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1183-1186

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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