Low On-Resistance in 4H-SiC RESURF JFETs Fabricated with Dry Process for Implantation Metal Mask: Fid-Bau Portal

Low On-Resistance in 4H-SiC RESURF JFETs Fabricated with Dry Process for Implantation Metal Mask

Masuda, T. / Fujikawa, K. / Shibata, K. / Tamaso, H. / Hatsukawa, S. / Tokuda, H. / Saegusa, A. / Namikawa, Y. / Hayashi, H.

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Masuda, T. / Fujikawa, K. / Shibata, K. / Tamaso, H. / Hatsukawa, S. / Tokuda, H. / Saegusa, A. / Namikawa, Y. / Hayashi, H.

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Titel:

Low On-Resistance in 4H-SiC RESURF JFETs Fabricated with Dry Process for Implantation Metal Mask

Beteiligte:

Masuda, T. (Autor:in) / Fujikawa, K. (Autor:in) / Shibata, K. (Autor:in) / Tamaso, H. (Autor:in) / Hatsukawa, S. (Autor:in) / Tokuda, H. (Autor:in) / Saegusa, A. (Autor:in) / Namikawa, Y. (Autor:in) / Hayashi, H. (Autor:in) / Devaty, R. P.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1203-1206

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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