High Power High Efficiency Lateral Epitaxy MESFETs in Silicon Carbide: Fid-Bau Portal

High Power High Efficiency Lateral Epitaxy MESFETs in Silicon Carbide

Konstantinov, A. O. / Svedberg, J. O. / Ray, I. C. / Harris, C. I. / Hallin, C. / Larsson, B. O.

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Titel:

High Power High Efficiency Lateral Epitaxy MESFETs in Silicon Carbide

Beteiligte:

Konstantinov, A. O. (Autor:in) / Svedberg, J. O. (Autor:in) / Ray, I. C. (Autor:in) / Harris, C. I. (Autor:in) / Hallin, C. (Autor:in) / Larsson, B. O. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1231-1234

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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