A Study on the Reliability and Stability of High Voltage 4H-SiC MOSFET Devices: Fid-Bau Portal

A Study on the Reliability and Stability of High Voltage 4H-SiC MOSFET Devices

Krishnaswami, S. / Ryu, S. H. / Heath, B. / Agarwal, A. K. / Palmour, J. W. / Geil, B. R. / Lelis, A. J. / Scozzie, C. J.

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Titel:

A Study on the Reliability and Stability of High Voltage 4H-SiC MOSFET Devices

Beteiligte:

Krishnaswami, S. (Autor:in) / Ryu, S. H. (Autor:in) / Heath, B. (Autor:in) / Agarwal, A. K. (Autor:in) / Palmour, J. W. (Autor:in) / Geil, B. R. (Autor:in) / Lelis, A. J. (Autor:in) / Scozzie, C. J. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1313-1316

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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