Growth of Micropipe-Free Single Crystal Silicon Carbide (SiC) Ingots via Physical Vapor Transport (PVT): Fid-Bau Portal

Growth of Micropipe-Free Single Crystal Silicon Carbide (SiC) Ingots via Physical Vapor Transport (PVT)

Basceri, C. / Khlebnikov, I. / Khlebnikov, Y. / Muzykov, P. / Sharma, M. / Stratiy, G. / Silan, M. / Balkas, C. M.

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Titel:

Growth of Micropipe-Free Single Crystal Silicon Carbide (SiC) Ingots via Physical Vapor Transport (PVT)

Beteiligte:

Basceri, C. (Autor:in) / Khlebnikov, I. (Autor:in) / Khlebnikov, Y. (Autor:in) / Muzykov, P. (Autor:in) / Sharma, M. (Autor:in) / Stratiy, G. (Autor:in) / Silan, M. (Autor:in) / Balkas, C. M. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 39-42

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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