Techniques for Minimizing the Basal Plane Dislocation Density in SiC Epilayers to Reduce V~f Drift in SiC Bipolar Power Devices: Fid-Bau Portal

Techniques for Minimizing the Basal Plane Dislocation Density in SiC Epilayers to Reduce V~f Drift in SiC Bipolar Power Devices

Sumakeris, J. J. / Bergman, J. P. / Das, M. K. / Hallin, C. / Hull, B. A. / Janzen, E. / Lendenmann, H. / O Loughlin, M. J. / Paisley, M. J. / Ha, S.

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Titel:

Techniques for Minimizing the Basal Plane Dislocation Density in SiC Epilayers to Reduce V~f Drift in SiC Bipolar Power Devices

Beteiligte:

Sumakeris, J. J. (Autor:in) / Bergman, J. P. (Autor:in) / Das, M. K. (Autor:in) / Hallin, C. (Autor:in) / Hull, B. A. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Lendenmann, H. (Autor:in) / O Loughlin, M. J. (Autor:in) / Paisley, M. J. (Autor:in) / Ha, S. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 141-146

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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