Effects of Nitrogen Doping on Basal Plane Dislocation Reduction in 8^o Off-Cut 4H-SiC Epilayers: Fid-Bau Portal

Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

Effects of Nitrogen Doping on Basal Plane Dislocation Reduction in 8^o Off-Cut 4H-SiC Epilayers

Wheeler, V.D. / VanMil, B.L. / Myers-Ward, R.L. / Chung, S. / Picard, Y.N. / Skowronski, M. / Stahlbush, R.E. / Mahadik, N.A. / Eddy, C.R. / Gaskill, D.K.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Effects of Nitrogen Doping on Basal Plane Dislocation Reduction in 8^o Off-Cut 4H-SiC Epilayers

Wheeler, V.D. / VanMil, B.L. / Myers-Ward, R.L. / Chung, S. / Picard, Y.N. / Skowronski, M. / Stahlbush, R.E. / Mahadik, N.A. / Eddy, C.R. / Gaskill, D.K.

Effects of Nitrogen Doping on Basal Plane Dislocation Reduction in 8^o Off-Cut 4H-SiC Epilayers

Wheeler, V.D. / VanMil, B.L. / Myers-Ward, R.L. / Chung, S. / Picard, Y.N. / Skowronski, M. / Stahlbush, R.E. / Mahadik, N.A. / Eddy, C.R. / Gaskill, D.K.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Effects of Nitrogen Doping on Basal Plane Dislocation Reduction in 8^o Off-Cut 4H-SiC Epilayers

Beteiligte:

Wheeler, V.D. (Autor:in) / VanMil, B.L. (Autor:in) / Myers-Ward, R.L. (Autor:in) / Chung, S. (Autor:in) / Picard, Y.N. (Autor:in) / Skowronski, M. (Autor:in) / Stahlbush, R.E. (Autor:in) / Mahadik, N.A. (Autor:in) / Eddy, C.R. (Autor:in) / Gaskill, D.K. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 63-66

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

© Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

Ähnliche Titel

Effects of Nitrogen Doping on the Morphology of Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Epilayers

Zhang, X. / Nagano, M. / Tsuchida, H. | British Library Online Contents | 2012

Performance of Silicon Carbide PiN Diodes Fabricated on Basal Plane Dislocation-Free Epilayers

Zhang, Z. H. / Grekov, A. E. / Sadagopan, P. et al. | British Library Online Contents | 2006

Low Trap Concentration and Low Basal-Plane Dislocation Density in 4H-SiC Epilayers Grown at High Growth Rate

Hori, T. / Danno, K. / Kimoto, T. | British Library Online Contents | 2007

Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Epilayers with Different Dopings

Zhang, X. / Nagano, M. / Tsuchida, H. | British Library Online Contents | 2012

Nitrogen Delta Doping in 4H-SiC Epilayers

Henry, A. / Storasta, L. / Janzen, E. | British Library Online Contents | 2003