Homoepitaxial Growth of Iron-Doped 4H-SiC Using BTMSM and t-Butylferrocene Precursors for Semi-Insulating Property: Fid-Bau Portal

Homoepitaxial Growth of Iron-Doped 4H-SiC Using BTMSM and t-Butylferrocene Precursors for Semi-Insulating Property

Song, H. K. / Moon, J. H. / Yim, J. H. / Kim, H. J.

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Titel:

Homoepitaxial Growth of Iron-Doped 4H-SiC Using BTMSM and t-Butylferrocene Precursors for Semi-Insulating Property

Beteiligte:

Song, H. K. (Autor:in) / Moon, J. H. (Autor:in) / Yim, J. H. (Autor:in) / Kim, H. J. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 215-218

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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