Homoepitaxial Growth of Al-Doped 4H-SiC using Bis-Trimethylsilylmethane Precursor: Fid-Bau Portal

Homoepitaxial Growth of Al-Doped 4H-SiC using Bis-Trimethylsilylmethane Precursor

Song, H. K. / Um, M. Y. / Na, H. J. / Kim, D. H. / Song, I. B. / Jung, S. Y. / Jeong, J. K. / Lee, J. B. / Kim, H. J.

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Song, H. K. / Um, M. Y. / Na, H. J. / Kim, D. H. / Song, I. B. / Jung, S. Y. / Jeong, J. K. / Lee, J. B. / Kim, H. J.

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Song, H. K. / Um, M. Y. / Na, H. J. / Kim, D. H. / Song, I. B. / Jung, S. Y. / Jeong, J. K. / Lee, J. B. / Kim, H. J.

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Titel:

Homoepitaxial Growth of Al-Doped 4H-SiC using Bis-Trimethylsilylmethane Precursor

Beteiligte:

Song, H. K. (Autor:in) / Um, M. Y. (Autor:in) / Na, H. J. (Autor:in) / Kim, D. H. (Autor:in) / Song, I. B. (Autor:in) / Jung, S. Y. (Autor:in) / Jeong, J. K. (Autor:in) / Lee, J. B. (Autor:in) / Kim, H. J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 233-236

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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