Homoepitaxial Growth of Vanadium-Doped 4H-SiC Using Bis-Trimethylsilylmethane and Verrocene Precursors: Fid-Bau Portal

Homoepitaxial Growth of Vanadium-Doped 4H-SiC Using Bis-Trimethylsilylmethane and Verrocene Precursors

Song, H. K. / Seo, H. S. / Moon, J. H. / Yim, J. H. / Lee, J. H. / Kwon, S. Y. / Na, H. J. / Kim, H. J.

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Titel:

Homoepitaxial Growth of Vanadium-Doped 4H-SiC Using Bis-Trimethylsilylmethane and Verrocene Precursors

Beteiligte:

Song, H. K. (Autor:in) / Seo, H. S. (Autor:in) / Moon, J. H. (Autor:in) / Yim, J. H. (Autor:in) / Lee, J. H. (Autor:in) / Kwon, S. Y. (Autor:in) / Na, H. J. (Autor:in) / Kim, H. J. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 113-116

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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