Investigation of Oxygen Precipitation Behavior in Nitrogen-doped. Czochralski Silicon Used for Solar Cells: Fid-Bau Portal

Investigation of Oxygen Precipitation Behavior in Nitrogen-doped. Czochralski Silicon Used for Solar Cells

Li, Y. / Zhong, Y. / Xi, Z.-q. / Yang, D.-r. / Que, D.-l.

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Titel:

Investigation of Oxygen Precipitation Behavior in Nitrogen-doped. Czochralski Silicon Used for Solar Cells

Beteiligte:

Li, Y. (Autor:in) / Zhong, Y. (Autor:in) / Xi, Z.-q. (Autor:in) / Yang, D.-r. (Autor:in) / Que, D.-l. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -HANGZHOU- ; 24 ; 676-678

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

1004-793X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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