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Germanium-doped Czochralski silicon: Oxygen precipitates and their annealing behavior

Chen, J. / Yang, D. / Li, H. / Ma, X. / Que, D.

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Titel:

Germanium-doped Czochralski silicon: Oxygen precipitates and their annealing behavior

Beteiligte:

Chen, J. (Autor:in) / Yang, D. (Autor:in) / Li, H. (Autor:in) / Ma, X. (Autor:in) / Que, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 600-605

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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