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    Titel:

    Profiling of traps in SiO2/Al2O3 gate stack by the charge pumping technique

    Beteiligte:

    Crupi, I. (Autor:in) / Degraeve, R. (Autor:in) / Govoreanu, B. (Autor:in) / Brunco, D. P. (Autor:in) / Roussel, P. (Autor:in) / Van Houdt, J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 889-891

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2006

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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