Electrical and interfacial characteristics of nanolaminate (Al2O3/ZrO2/Al2O3) gate stack on fully depleted SiGe-on-insulator: Fid-Bau Portal

Electrical and interfacial characteristics of nanolaminate (Al2O3/ZrO2/Al2O3) gate stack on fully depleted SiGe-on-insulator

Di, Z. / Zhang, M. / Liu, W. / Shen, Q. / Song, Z. / Lin, C. / Huang, A. / Chu, P. K.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Electrical and interfacial characteristics of nanolaminate (Al2O3/ZrO2/Al2O3) gate stack on fully depleted SiGe-on-insulator

Di, Z. / Zhang, M. / Liu, W. / Shen, Q. / Song, Z. / Lin, C. / Huang, A. / Chu, P. K.

Electrical and interfacial characteristics of nanolaminate (Al2O3/ZrO2/Al2O3) gate stack on fully depleted SiGe-on-insulator

Di, Z. / Zhang, M. / Liu, W. / Shen, Q. / Song, Z. / Lin, C. / Huang, A. / Chu, P. K.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Electrical and interfacial characteristics of nanolaminate (Al2O3/ZrO2/Al2O3) gate stack on fully depleted SiGe-on-insulator

Beteiligte:

Di, Z. (Autor:in) / Zhang, M. (Autor:in) / Liu, W. (Autor:in) / Shen, Q. (Autor:in) / Song, Z. (Autor:in) / Lin, C. (Autor:in) / Huang, A. (Autor:in) / Chu, P. K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 959-963

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

Liu, M. / He, G. / Zhu, L. Q. et al. | British Library Online Contents | 2006

Effects of the interfacial layer on electrical characteristics of Al2O3/TiO2/Al2O3 thin films for gate dielectrics

Kim, C. E. / Yun, I. | British Library Online Contents | 2012

Impact of the interfaces in the charge trap layer on the storage characteristics of ZrO2/Al2O3 nanolaminate-based charge trap flash memory cells

Tang, Z. / Zhu, X. / Xu, H. et al. | British Library Online Contents | 2013

Characteristics of sandwich-structured Al2O3/HfO2/Al2O3 gate dielectric films on ultra-thin silicon-on-insulator substrates

Cheng, X. / Song, Z. / Jiang, J. et al. | British Library Online Contents | 2005

Double nitridation of crystalline ZrO2/Al2O3 buffer gate stack with high capacitance, low leakage and improved thermal stability

Huang, J. J. / Tsai, Y. J. / Tsai, M. C. et al. | British Library Online Contents | 2015

Nach oben