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Electrical properties of SiO2/TiO2 high-k gate dielectric stack

Bera, M. K. / Maiti, C. K.

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Titel:

Electrical properties of SiO2/TiO2 high-k gate dielectric stack

Beteiligte:

Bera, M. K. (Autor:in) / Maiti, C. K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 909-917

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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