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    Titel:

    Temperature dependence of electrical properties for MOS capacitor with HfO"2/SiO"2 gate dielectric stack

    Beteiligte:

    Yu, T. (Autor:in) / Jin, C. G. (Autor:in) / Dong, Y. J. (Autor:in) / Cao, D. (Autor:in) / Zhuge, L. J. (Autor:in) / Wu, X. M. (Autor:in) / Cheong, K. Y. / Paskaleva, A.

    Erschienen in:

    Advanced Oxides for Electronics ; 1321-1327

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 16

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2013

    Format / Umfang:

    7 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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