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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Stress-induced leakage currents of the RF sputtered Ta2O5 on N-implanted silicon

    Beteiligte:

    Novkovski, N. (Autor:in) / Atanassova, E. (Autor:in) / Paskaleva, A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 4396-4403

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    8 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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