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The effects of thermal annealing in self-assembled Ge/Si quantum dots

Cai, Q. / Zhou, H. / Lu, F.

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Titel:

The effects of thermal annealing in self-assembled Ge/Si quantum dots

Beteiligte:

Cai, Q. (Autor:in) / Zhou, H. (Autor:in) / Lu, F. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 4792-4795

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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