Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Enhanced infrared response of Si base p-n diode with self-assembled Ge quantum dots by thermal annealing

    Neue Suche nach: Cai, Q.
    Neue Suche nach: Zhou, H.
    Neue Suche nach: Lu, F.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Enhanced infrared response of Si base p-n diode with self-assembled Ge quantum dots by thermal annealing

    Neue Suche nach: Cai, Q.
    Neue Suche nach: Zhou, H.
    Neue Suche nach: Lu, F.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Enhanced infrared response of Si base p-n diode with self-assembled Ge quantum dots by thermal annealing

    Neue Suche nach: Cai, Q.
    Neue Suche nach: Zhou, H.
    Neue Suche nach: Lu, F.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Enhanced infrared response of Si base p-n diode with self-assembled Ge quantum dots by thermal annealing

    Beteiligte:

    Cai, Q. (Autor:in) / Zhou, H. (Autor:in) / Lu, F. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 3376-3379

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2008

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    The effects of thermal annealing in self-assembled Ge/Si quantum dots

    Cai, Q. / Zhou, H. / Lu, F. | British Library Online Contents | 2007

    Size reduction of self assembled quantum dots by annealing

    Johansson, J. / Seifert, W. / Zwiller, V. et al. | British Library Online Contents | 1998

    Effect of an in-situ thermal annealing on the structural properties of self-assembled GaSb/GaAs quantum dots

    Fernández-Delgado, N. / Herrera, M. / Chisholm, M.F. et al. | British Library Online Contents | 2017

    Lateral conduction mid-Infrared photodetectors using self-assembled Ge/Si quantum dots

    Lee, S.-W. / Kim, T.G. / Hirakawa, K. et al. | IEEE | 2006

    Effect of an in-situ thermal annealing on the structural properties of self-assembled GaSb/GaAs quantum dots

    Fernández-Delgado, N. / Herrera, M. / Chisholm, M.F. et al. | British Library Online Contents | 2017

    Nach oben