Crystalline quality of 3C-SiC formed by high-fluence C+-implanted Si: Fid-Bau Portal

Crystalline quality of 3C-SiC formed by high-fluence C+-implanted Si

Intarasiri, S. / Hallen, A. / Lu, J. / Jensen, J. / Yu, L. D. / Bertilsson, K. / Wolborski, M. / Singkarat, S. / Possnert, G.

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Titel:

Crystalline quality of 3C-SiC formed by high-fluence C+-implanted Si

Beteiligte:

Intarasiri, S. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in) / Lu, J. (Autor:in) / Jensen, J. (Autor:in) / Yu, L. D. (Autor:in) / Bertilsson, K. (Autor:in) / Wolborski, M. (Autor:in) / Singkarat, S. (Autor:in) / Possnert, G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 4836-4842

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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