Characterization of free-standing GaN substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a TiN interlayer: Fid-Bau Portal

Characterization of free-standing GaN substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a TiN interlayer

Wei, T. B. / Duan, R. F. / Wang, J. X. / Li, J. M. / Huo, Z. Q. / Ma, P. / Liu, Z. / Zeng, Y. P.

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Titel:

Characterization of free-standing GaN substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a TiN interlayer

Beteiligte:

Wei, T. B. (Autor:in) / Duan, R. F. (Autor:in) / Wang, J. X. (Autor:in) / Li, J. M. (Autor:in) / Huo, Z. Q. (Autor:in) / Ma, P. (Autor:in) / Liu, Z. (Autor:in) / Zeng, Y. P. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 253 ; 7423-7428

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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