An Inserted Epitaxial Layer for SiC Single Crystal Growth by the Physical Vapor Transport Method: Fid-Bau Portal

An Inserted Epitaxial Layer for SiC Single Crystal Growth by the Physical Vapor Transport Method

Seo, J. D. / An, J. H. / Kim, J. G. / Kim, J. K. / Kyun, M. O. / Lee, W. J. / Kim, I. S. / Shin, B. C. / Ku, K. R.

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Titel:

An Inserted Epitaxial Layer for SiC Single Crystal Growth by the Physical Vapor Transport Method

Beteiligte:

Seo, J. D. (Autor:in) / An, J. H. (Autor:in) / Kim, J. G. (Autor:in) / Kim, J. K. (Autor:in) / Kyun, M. O. (Autor:in) / Lee, W. J. (Autor:in) / Kim, I. S. (Autor:in) / Shin, B. C. (Autor:in) / Ku, K. R. (Autor:in) / Wright, N.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 9-12

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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