Growth and Properties of SiC On-Axis Homoepitaxial Layers: Fid-Bau Portal

Growth and Properties of SiC On-Axis Homoepitaxial Layers

Hassan, J. / Bergman, J.P. / Palisaitis, J. / Henry, A. / McNally, P.J. / Anderson, S. / Janzen, E.

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Titel:

Growth and Properties of SiC On-Axis Homoepitaxial Layers

Beteiligte:

Hassan, J. (Autor:in) / Bergman, J.P. (Autor:in) / Palisaitis, J. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / McNally, P.J. (Autor:in) / Anderson, S. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 83-88

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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