High Quality Uniform SiC Epitaxy for Power Device Applications: Fid-Bau Portal

High Quality Uniform SiC Epitaxy for Power Device Applications

Zhang, J. / Romano, E. / Mazzola, J. / Sunkari, S. G. / Hoff, C. / Sankin, I. / Mazzola, M. S.

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Titel:

High Quality Uniform SiC Epitaxy for Power Device Applications

Beteiligte:

Zhang, J. (Autor:in) / Romano, E. (Autor:in) / Mazzola, J. (Autor:in) / Sunkari, S. G. (Autor:in) / Hoff, C. (Autor:in) / Sankin, I. (Autor:in) / Mazzola, M. S. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 101-104

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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