Growth of Device Quality 4H-SiC High Velocity Epitaxy: Fid-Bau Portal

Growth of Device Quality 4H-SiC High Velocity Epitaxy

Yakimova, R. / Syvajarvi, M. / Ciechonski, R. R. / Wahab, Q.

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Titel:

Growth of Device Quality 4H-SiC High Velocity Epitaxy

Beteiligte:

Yakimova, R. (Autor:in) / Syvajarvi, M. (Autor:in) / Ciechonski, R. R. (Autor:in) / Wahab, Q. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 201-204

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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