Growth and Study of Thick 3C-SiC Epitaxial Layers Produced by Epitaxy on 6H-SiC Substrates: Fid-Bau Portal

Growth and Study of Thick 3C-SiC Epitaxial Layers Produced by Epitaxy on 6H-SiC Substrates

Lebedev, A. A. / Zelenin, V. V. / Abramov, P. L. / Bogdanova, E. V. / Lebedev, S. P. / Nel son, D. K. / Razbirin, B. S. / Scheglov, M. P. / Tregubova, A. S. / Syvajarvi, M.

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Lebedev, A. A. / Zelenin, V. V. / Abramov, P. L. / Bogdanova, E. V. / Lebedev, S. P. / Nel son, D. K. / Razbirin, B. S. / Scheglov, M. P. / Tregubova, A. S. / Syvajarvi, M.

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Titel:

Growth and Study of Thick 3C-SiC Epitaxial Layers Produced by Epitaxy on 6H-SiC Substrates

Beteiligte:

Lebedev, A. A. (Autor:in) / Zelenin, V. V. (Autor:in) / Abramov, P. L. (Autor:in) / Bogdanova, E. V. (Autor:in) / Lebedev, S. P. (Autor:in) / Nel son, D. K. (Autor:in) / Razbirin, B. S. (Autor:in) / Scheglov, M. P. (Autor:in) / Tregubova, A. S. (Autor:in) / Syvajarvi, M. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 175-178

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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