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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Dislocation in 4H n^+ SiC Substrates and their Relationship with Epilayer Defects

    Beteiligte:

    Wu, P. (Autor:in) / Emorhokpor, E. (Autor:in) / Yoganathan, M. (Autor:in) / Kerr, T. (Autor:in) / Zhang, J. (Autor:in) / Romano, E. (Autor:in) / Zwieback, I. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 247-250

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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