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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Influence of Cooling Rate after High Temperature Annealing on Deep Levels in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC

    Beteiligte:

    Gallstrom, A. (Autor:in) / Magnusson, B. (Autor:in) / Carlsson, P. (Autor:in) / Son, N. T. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Beyer, F. (Autor:in) / Syvajarvi, M. (Autor:in) / Yakimova, R. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Wright, N.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 371-374

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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