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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Investigation of Drain Current Saturation in 4H-SiC MOSFETs

    Beteiligte:

    Pennington, G. (Autor:in) / Potbhare, S. (Autor:in) / Goldsman, N. (Autor:in) / Habersat, D. (Autor:in) / Lelis, A. (Autor:in) / McGarrity, J. M. (Autor:in) / Ashman, C. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 811-814

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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