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Source/drain engineering for MOSFETs with embedded-Si:C technology

Itokawa, H. / Yasutake, N. / Kusunoki, N. / Okamoto, S. / Aoki, N. / Mizushima, I.

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Titel:

Source/drain engineering for MOSFETs with embedded-Si:C technology

Beteiligte:

Itokawa, H. (Autor:in) / Yasutake, N. (Autor:in) / Kusunoki, N. (Autor:in) / Okamoto, S. (Autor:in) / Aoki, N. (Autor:in) / Mizushima, I. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6135-6139

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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