Numerical Investigation of the DC and RF Performances for a 4H-SiC Double Delta-Doped Channel MESFET Having Various Delta-Doping Concentrations: Fid-Bau Portal

Numerical Investigation of the DC and RF Performances for a 4H-SiC Double Delta-Doped Channel MESFET Having Various Delta-Doping Concentrations

Kang, I. H. / Bahng, W. / Kim, S. C. / Joo, S. J. / Kim, N. K.

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Titel:

Numerical Investigation of the DC and RF Performances for a 4H-SiC Double Delta-Doped Channel MESFET Having Various Delta-Doping Concentrations

Beteiligte:

Kang, I. H. (Autor:in) / Bahng, W. (Autor:in) / Kim, S. C. (Autor:in) / Joo, S. J. (Autor:in) / Kim, N. K. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I. / Horsfall, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 823-826

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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