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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Realization of Low On-Resistance 4H-SiC Power MOSFETs by Using Retrograde Profile in P-Body

    Beteiligte:

    Fujihira, K. (Autor:in) / Miura, N. (Autor:in) / Watanabe, T. (Autor:in) / Nakao, Y. (Autor:in) / Yutani, N. (Autor:in) / Ohtsuka, K. I. (Autor:in) / Imaizumi, M. (Autor:in) / Takami, T. (Autor:in) / Oomori, T. (Autor:in) / Wright, N.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 827-830

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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