Coupling between the Raman Spectroscopy and Photoemission Microscopy Techniques: Investigation of Defects in Biased 4H-SiC pin Diodes: Fid-Bau Portal

Coupling between the Raman Spectroscopy and Photoemission Microscopy Techniques: Investigation of Defects in Biased 4H-SiC pin Diodes

Thuaire, A. / Mermoux, M. / Bano, E. / Crisci, A. / Baillet, F. / Zekentes, K.

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Titel:

Coupling between the Raman Spectroscopy and Photoemission Microscopy Techniques: Investigation of Defects in Biased 4H-SiC pin Diodes

Beteiligte:

Thuaire, A. (Autor:in) / Mermoux, M. (Autor:in) / Bano, E. (Autor:in) / Crisci, A. (Autor:in) / Baillet, F. (Autor:in) / Zekentes, K. (Autor:in) / Wright, N. / Johnson, C. M. / Vassilevski, K. / Nikitina, I.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 909-912

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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