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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Transmission Electron Microscopy Studies of Oxidation of Single Crystal Silicon Carbide at High Temperature

    Beteiligte:

    Chayasombat, B. (Autor:in) / Tarumi, N. (Autor:in) / Kato, T. (Autor:in) / Hirayama, T. (Autor:in) / Sasaki, K. (Autor:in) / Kuroda, K. (Autor:in) / Chang, Y.W. / Kim, N.J. / Lee, C.S.

    Erschienen in:

    PRICM 6 Part 3 Selected, peer reviewed papers from The Sixth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing, November 5-9, 2007, ICC Jeju, Jeju Island, Korea ; 2135-2138

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 561/565

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2007

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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