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    Titel:

    Influence of interface states and deep levels on output characteristics of InAlAs/InGaAs/InP HEMTs

    Beteiligte:

    Bouzgarrou, S. (Autor:in) / Sghaier, N. (Autor:in) / Ben Salem, M. M. (Autor:in) / Souifi, A. (Autor:in) / Kalboussi, A. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -AMSTERDAM THEN LAUSANNE- C ; 28 ; 676-679

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2008

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0928-4931

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.1 / 660

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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