Growth and modification of thin a-Si:H/a-Ge:H bi-layers to sacrificial c-SiGe alloys through ArF-Excimer laser assisted processing: Fid-Bau Portal

Growth and modification of thin a-Si:H/a-Ge:H bi-layers to sacrificial c-SiGe alloys through ArF-Excimer laser assisted processing

Chiussi, S. / Gontad, F. / Rodriguez, R. / Serra, C. / Serra, J. / Leon, B. / Sulima, T. / Hollt, L. / Eisele, I.

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Titel:

Growth and modification of thin a-Si:H/a-Ge:H bi-layers to sacrificial c-SiGe alloys through ArF-Excimer laser assisted processing

Beteiligte:

Chiussi, S. (Autor:in) / Gontad, F. (Autor:in) / Rodriguez, R. (Autor:in) / Serra, C. (Autor:in) / Serra, J. (Autor:in) / Leon, B. (Autor:in) / Sulima, T. (Autor:in) / Hollt, L. (Autor:in) / Eisele, I. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6030-6033

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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