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    Titel:

    C-V characterization of Schottky- and MIS-gate SiGe/Si HEMT structures

    Beteiligte:

    Onojima, N. (Autor:in) / Kasamatsu, A. (Autor:in) / Hirose, N. (Autor:in) / Mimura, T. (Autor:in) / Matsui, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6162-6164

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2008

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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