Reliability study of ultra-thin gate oxides on strained-Si/SiGe MOS structures: Fid-Bau Portal

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Reliability study of ultra-thin gate oxides on strained-Si/SiGe MOS structures

Varzgar, J. B. / Kanoun, M. / Uppal, S. / Chattopadhyay, S. / Tsang, Y. L. / Escobedo-Cousins, E. / Olsen, S. H. / O'Neill, A. / Hellstrom, P. E. / Edholm, J.

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Varzgar, J. B. / Kanoun, M. / Uppal, S. / Chattopadhyay, S. / Tsang, Y. L. / Escobedo-Cousins, E. / Olsen, S. H. / O'Neill, A. / Hellstrom, P. E. / Edholm, J.

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Titel:

Reliability study of ultra-thin gate oxides on strained-Si/SiGe MOS structures

Beteiligte:

Varzgar, J. B. (Autor:in) / Kanoun, M. (Autor:in) / Uppal, S. (Autor:in) / Chattopadhyay, S. (Autor:in) / Tsang, Y. L. (Autor:in) / Escobedo-Cousins, E. (Autor:in) / Olsen, S. H. (Autor:in) / O'Neill, A. (Autor:in) / Hellstrom, P. E. (Autor:in) / Edholm, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 135 ; 203-206

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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