60nm gate-length Si/SiGe HEMT: Fid-Bau Portal

60nm gate-length Si/SiGe HEMT

Kasamatsu, A. / Kasai, K. / Hikosaka, K. / Matsui, T. / Mimura, T.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

60nm gate-length Si/SiGe HEMT

Kasamatsu, A. / Kasai, K. / Hikosaka, K. / Matsui, T. / Mimura, T.

60nm gate-length Si/SiGe HEMT

Kasamatsu, A. / Kasai, K. / Hikosaka, K. / Matsui, T. / Mimura, T.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

60nm gate-length Si/SiGe HEMT

Beteiligte:

Kasamatsu, A. (Autor:in) / Kasai, K. (Autor:in) / Hikosaka, K. (Autor:in) / Matsui, T. (Autor:in) / Mimura, T. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 382-385

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

Onojima, N. / Kasamatsu, A. / Hirose, N. et al. | British Library Online Contents | 2008

Gate length scaling trends of drive current enhancement in CMOSFETs with dual stress overlayers and embedded-SiGe

Flachowsky, S. / Wei, A. / Herrmann, T. et al. | British Library Online Contents | 2008

Source engineering in short channel double gate vertical SiGe-MOSFETs

Mandal, S. K. / Das, S. / Maiti, C. K. | British Library Online Contents | 2005

Impact of Ir gate interfacial oxide layers on performance of AlGaN/GaN HEMT

Vallo, M. / Lalinsky, T. / Dobrocka, E. et al. | British Library Online Contents | 2013

Enhanced Sensitivity of Pt/NiO Gate Based AlGaN/GaN C-HEMT Hydrogen Sensor

Ryger, I. / Vanko, G. / Lalinsky, T. et al. | British Library Online Contents | 2014

Nach oben