Modified growth of Ge quantum dots using C2H4 mediation by ultra-high vacuum chemical vapor deposition: Fid-Bau Portal

Modified growth of Ge quantum dots using C2H4 mediation by ultra-high vacuum chemical vapor deposition

Lee, S. W. / Chen, P. S. / Cheng, S. L. / Lee, M. H. / Chang, H. T. / Lee, C. H. / Liu, C. W.

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Titel:

Modified growth of Ge quantum dots using C2H4 mediation by ultra-high vacuum chemical vapor deposition

Beteiligte:

Lee, S. W. (Autor:in) / Chen, P. S. (Autor:in) / Cheng, S. L. (Autor:in) / Lee, M. H. (Autor:in) / Chang, H. T. (Autor:in) / Lee, C. H. (Autor:in) / Liu, C. W. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 254 ; 6261-6264

Erscheinungsdatum:

01.01.2008

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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